IXFA4N100Q
Производитель Номер продукта:

IXFA4N100Q

Product Overview

Производитель:

IXYS

Номер детали:

IXFA4N100Q-DG

Описание:

MOSFET N-CH 1000V 4A TO263
Подробное описание:
N-Channel 1000 V 4A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount TO-263AA (IXFA)

Инвентаризация:

12912969
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

IXFA4N100Q Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Littelfuse
Упаковка
Tube
Серия
HiPerFET™, Q Class
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
1000 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
3Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 1.5mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1050 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
150W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-263AA (IXFA)
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
IXFA4N100

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
50

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095

Альтернативные модели

Номер детали
IRFBF30STRLPBF
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Vishay Siliconix
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
911
Номер части
IRFBF30STRLPBF-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.50
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
vishay-siliconix

IRLZ14

MOSFET N-CH 60V 10A TO220AB

vishay-siliconix

SI1012R-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 500MA SC75A

vishay-siliconix

IRFPF30PBF

MOSFET N-CH 900V 3.6A TO247-3

vishay-siliconix

IRFU9110

MOSFET P-CH 100V 3.1A TO251AA