Производитель Номер продукта:
IXFB120N50P2
Product Overview
Производитель:
IXYS
Номер детали:
IXFB120N50P2-DG
Описание:
MOSFET N-CH 500V 120A PLUS264
Подробное описание:
N-Channel 500 V 120A (Tc) 1890W (Tc) Through Hole PLUS264™
Инвентаризация:
12907618
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IXFB120N50P2 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Littelfuse
Упаковка
-
Серия
HiPerFET™, PolarHV™
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
500 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
43mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 8mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
300 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
19000 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1890W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PLUS264™
Упаковка / Чехол
TO-264-3, TO-264AA
Базовый номер продукта
IXFB120
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
25
Другие названия
-IXFB120N50P2
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IXFB132N50P3
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
IXYS
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
IXFB132N50P3-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
15.14
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRFBC30STRLPBF
MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
IRFP23N50L
MOSFET N-CH 500V 23A TO247-3
IRF610S
MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK