IXFH6N100F
Производитель Номер продукта:

IXFH6N100F

Product Overview

Производитель:

IXYS

Номер детали:

IXFH6N100F-DG

Описание:

MOSFET N-CH 1000V 6A TO247
Подробное описание:
N-Channel 1000 V 6A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-247 (IXFH)

Инвентаризация:

12808977
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

IXFH6N100F Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Littelfuse
Упаковка
Tube
Серия
HiPerFET™, F Class
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
1000 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.9Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5.5V @ 2.5mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
54 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1770 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
180W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-247 (IXFH)
Упаковка / Чехол
TO-247-3
Базовый номер продукта
IXFH6

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
30

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095

Альтернативные модели

Номер детали
STW7N105K5
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
554
Номер части
STW7N105K5-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.44
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
vishay-siliconix

V30365-T1-GE3

MOSFET N-CH SMD

infineon-technologies

IPI45N06S4L08AKSA1

MOSFET N-CH 60V 45A TO262-3

microchip-technology

TP2522N8-G

MOSFET P-CH 220V 260MA TO243AA

infineon-technologies

IRLR120NTRR

MOSFET N-CH 100V 10A DPAK