Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
ДР Конго
Аргентина
Турция
Румыния
Литва
Норвегия
Австрия
Ангола
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Беларусь
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Черногория
Русский
Бельгия
Швеция
Сербия
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Молдова
Германия
Нидерланды
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
Франция
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Португалия
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Испания
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
IXFH80N65X2
Product Overview
Производитель:
IXYS
Номер детали:
IXFH80N65X2-DG
Описание:
MOSFET N-CH 650V 80A TO247
Подробное описание:
N-Channel 650 V 80A (Tc) 890W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
12821231
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IXFH80N65X2 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Littelfuse
Упаковка
Tube
Серия
HiPerFET™, Ultra X2
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
40mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5.5V @ 4mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
143 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
8245 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
890W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-247 (IXTH)
Упаковка / Чехол
TO-247-3
Базовый номер продукта
IXFH80
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
IXFH80N65X2
HTML Спецификация
IXFH80N65X2-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
30
Другие названия
IXFH80N65X2XINACTIVE
IXFH80N65X2X-DG
632463
IXFH80N65X2X
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
FCH041N60E
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
onsemi
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
130
Номер части
FCH041N60E-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
7.29
Тип замещения
Similar
Номер детали
IPW60R045CPFKSA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
2367
Номер части
IPW60R045CPFKSA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
11.45
Тип замещения
Similar
Номер детали
IPW60R040C7XKSA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
464
Номер части
IPW60R040C7XKSA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
6.74
Тип замещения
Similar
Номер детали
APT77N60BC6
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Microchip Technology
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
3
Номер части
APT77N60BC6-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
10.10
Тип замещения
Similar
Номер детали
SCT3030ALGC11
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Rohm Semiconductor
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
10017
Номер части
SCT3030ALGC11-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
21.41
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IXFN130N30
MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227B
IXFN300N10P
MOSFET N-CH 100V 295A SOT227B
IXTA180N055T
MOSFET N-CH 55V 180A TO263
IXTQ280N055T
MOSFET N-CH 55V 280A TO3P