Производитель Номер продукта:
SCT3030ALGC11
Product Overview
Производитель:
Rohm Semiconductor
Номер детали:
SCT3030ALGC11-DG
Описание:
SICFET N-CH 650V 70A TO247N
Подробное описание:
N-Channel 650 V 70A (Tc) 262W (Tc) Through Hole TO-247N
Инвентаризация:
10017 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13526688
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SCT3030ALGC11 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
ROHM Semiconductor
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
SiCFET (Silicon Carbide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
70A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
18V
Rds On (макс.) @ id, vgs
39mOhm @ 27A, 18V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5.6V @ 13.3mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
104 nC @ 18 V
Vgs (макс.)
+22V, -4V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1526 pF @ 500 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
262W (Tc)
Рабочая температура
175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-247N
Упаковка / Чехол
TO-247-3
Базовый номер продукта
SCT3030
Технический паспорт и документы
Документы по надежности
Ресурсы для проектирования
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
30
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
RDX080N50FU6
MOSFET N-CH 500V 8A TO220FM
RQ6E085BNTCR
MOSFET N-CH 30V 8.5A SOT457
SCT2080KEHRC11
SICFET N-CH 1200V 40A TO247N