Производитель Номер продукта:
IXFK102N30P
Product Overview
Производитель:
IXYS
Номер детали:
IXFK102N30P-DG
Описание:
MOSFET N-CH 300V 102A TO264AA
Подробное описание:
N-Channel 300 V 102A (Tc) 700W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
Инвентаризация:
17 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12820816
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IXFK102N30P Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Littelfuse
Упаковка
Tube
Серия
HiPerFET™, Polar
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
300 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
102A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
33mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 4mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
224 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
7500 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
700W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-264AA (IXFK)
Упаковка / Чехол
TO-264-3, TO-264AA
Базовый номер продукта
IXFK102
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
25
Другие названия
-IXFK102N30P
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IXFT120N25X3HV
MOSFET N-CH 250V 120A TO268HV
IXFE24N100
MOSFET N-CH 1000V 22A SOT227B
IXFN55N50
MOSFET N-CH 500V 55A SOT-227B
