Производитель Номер продукта:
IXFN24N100
Product Overview
Производитель:
IXYS
Номер детали:
IXFN24N100-DG
Описание:
MOSFET N-CH 1KV 24A SOT-227B
Подробное описание:
N-Channel 1000 V 24A (Tc) 568W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Инвентаризация:
12820301
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IXFN24N100 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Littelfuse
Упаковка
Tube
Серия
HiPerFET™
Статус продукта
Not For New Designs
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
1000 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
24A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
390mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5.5V @ 8mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
267 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
8700 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
568W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Chassis Mount
Комплект устройства поставщика
SOT-227B
Упаковка / Чехол
SOT-227-4, miniBLOC
Базовый номер продукта
IXFN24
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
10
Другие названия
IXFN24N100-NDR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
Not Applicable
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IXFN32N100P
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
IXYS
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
IXFN32N100P-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
26.21
Тип замещения
Similar
Номер детали
APT22F100J
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Microchip Technology
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
APT22F100J-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
34.58
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IXFK38N80Q2
MOSFET N-CH 800V 38A TO264AA
IXTA5N60P
MOSFET N-CH 600V 5A TO263
IXTH30N60P
MOSFET N-CH 600V 30A TO247
