Производитель Номер продукта:
IXTA180N10T7
Product Overview
Производитель:
IXYS
Номер детали:
IXTA180N10T7-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Подробное описание:
N-Channel 100 V 180A (Tc) 480W (Tc) Surface Mount TO-263-7 (IXTA)
Инвентаризация:
12820308
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IXTA180N10T7 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Littelfuse
Упаковка
Tube
Серия
Trench
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
180A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
6.4mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
151 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
6900 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
480W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-263-7 (IXTA)
Упаковка / Чехол
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Базовый номер продукта
IXTA180
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IPB025N10N3GATMA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
627
Номер части
IPB025N10N3GATMA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
3.25
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IXFN23N100
MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B
IXTY1R4N100P
MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO252
IXFN20N120P
MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B
