Производитель Номер продукта:
IXFN360N10T
Product Overview
Производитель:
IXYS
Номер детали:
IXFN360N10T-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B
Подробное описание:
N-Channel 100 V 360A (Tc) 830W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Инвентаризация:
12821211
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IXFN360N10T Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Littelfuse
Упаковка
Tube
Серия
HiPerFET™, Trench
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
360A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2.6mOhm @ 180A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
505 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
36000 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
830W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Chassis Mount
Комплект устройства поставщика
SOT-227B
Упаковка / Чехол
SOT-227-4, miniBLOC
Базовый номер продукта
IXFN360
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
10
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IXTU5N50P
MOSFET N-CH 500V 4.8A TO252
IXTH52N65X
MOSFET N-CH 650V 52A TO247
IXTH12N65X2
MOSFET N-CH 650V 12A TO247-3