Производитель Номер продукта:
IXFN60N80P
Product Overview
Производитель:
IXYS
Номер детали:
IXFN60N80P-DG
Описание:
MOSFET N-CH 800V 53A SOT-227B
Подробное описание:
N-Channel 800 V 53A (Tc) 1040W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Инвентаризация:
12820902
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IXFN60N80P Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Littelfuse
Упаковка
Tube
Серия
HiPerFET™, Polar
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
800 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
53A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
140mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 8mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
250 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
18000 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1040W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Chassis Mount
Комплект устройства поставщика
SOT-227B
Упаковка / Чехол
SOT-227-4, miniBLOC
Базовый номер продукта
IXFN60
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
10
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
APT53F80J
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Microchip Technology
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
89
Номер части
APT53F80J-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
52.75
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IXTA8N65X2
MOSFET N-CH 650V 8A TO263
IXFH42N50P2
MOSFET N-CH 500V 42A TO247AD
IXTP7N60P
MOSFET N-CH 600V 7A TO220AB
