Производитель Номер продукта:
IXFQ50N60P3
Product Overview
Производитель:
IXYS
Номер детали:
IXFQ50N60P3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 50A TO3P
Подробное описание:
N-Channel 600 V 50A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-3P
Инвентаризация:
12821337
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IXFQ50N60P3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Littelfuse
Упаковка
Tube
Серия
HiPerFET™, Polar3™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
145mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 4mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
94 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
6300 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1040W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-3P
Упаковка / Чехол
TO-3P-3, SC-65-3
Базовый номер продукта
IXFQ50
Дополнительная информация
Стандартный пакет
30
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
FCA22N60N
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Fairchild Semiconductor
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
545
Номер части
FCA22N60N-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
4.38
Тип замещения
Similar
Номер детали
IPW60R099CPAFKSA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
196
Номер части
IPW60R099CPAFKSA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
4.16
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IXTY48P05T
MOSFET P-CH 50V 48A TO252
IXFH86N30T
MOSFET N-CH 300V 86A TO247AD
IXFK180N25T
MOSFET N-CH 250V 180A TO264AA
