Производитель Номер продукта:
IXFT50N60X
Product Overview
Производитель:
IXYS
Номер детали:
IXFT50N60X-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 50A TO268
Подробное описание:
N-Channel 600 V 50A (Tc) 660W (Tc) Surface Mount TO-268
Инвентаризация:
12820177
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IXFT50N60X Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Littelfuse
Упаковка
Tube
Серия
HiPerFET™, Ultra X
Статус продукта
Last Time Buy
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
73mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 4mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
116 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
4660 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
660W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-268
Упаковка / Чехол
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Базовый номер продукта
IXFT50
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
30
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IXFT60N65X2HV
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
IXYS
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
3
Номер части
IXFT60N65X2HV-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
7.25
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IXTK120P20T
MOSFET P-CH 200V 120A TO264
IXFR30N50Q
MOSFET N-CH 500V 30A ISOPLUS247
IXTP76N25T
MOSFET N-CH 250V 76A TO220AB
