Производитель Номер продукта:
IXFT60N65X2HV
Product Overview
Производитель:
IXYS
Номер детали:
IXFT60N65X2HV-DG
Описание:
MOSFET N-CH 650V 60A TO268HV
Подробное описание:
N-Channel 650 V 60A (Tc) 780W (Tc) Surface Mount TO-268HV (IXFT)
Инвентаризация:
3 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12821699
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IXFT60N65X2HV Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Littelfuse
Упаковка
Tube
Серия
HiPerFET™, Ultra X2
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
52mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 4mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
108 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
6300 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
780W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-268HV (IXFT)
Упаковка / Чехол
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Базовый номер продукта
IXFT60
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
30
Другие названия
-IXFT60N65X2HV
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
3 (168 Hours)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IXTH250N075T
MOSFET N-CH 75V 250A TO247
IXFX66N50Q2
MOSFET N-CH 500V 66A PLUS247-3
IXFH58N20
MOSFET N-CH 200V 58A TO247AD
