Производитель Номер продукта:
IXFX90N60X
Product Overview
Производитель:
IXYS
Номер детали:
IXFX90N60X-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 90A PLUS247-3
Подробное описание:
N-Channel 600 V 90A (Tc) 1100W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Инвентаризация:
12914600
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IXFX90N60X Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Littelfuse
Упаковка
-
Серия
HiPerFET™, Ultra X
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
38mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 8mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
210 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
8500 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1100W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PLUS247™-3
Упаковка / Чехол
TO-247-3 Variant
Базовый номер продукта
IXFX90
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
30
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IXFX100N65X2
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
IXYS
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
IXFX100N65X2-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
11.71
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
TK62N60X,S1F
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Toshiba Semiconductor and Storage
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
102
Номер части
TK62N60X,S1F-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
5.71
Тип замещения
Similar
Номер детали
SCT3030ALGC11
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Rohm Semiconductor
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
10017
Номер части
SCT3030ALGC11-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
21.41
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SI2312BDS-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3
SI2302ADS-T1
MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3
SI4776DY-T1-GE3
MOSFET N-CHANNEL 30V 11.9A 8SO