Производитель Номер продукта:
IXTA12N65X2
Product Overview
Производитель:
IXYS
Номер детали:
IXTA12N65X2-DG
Описание:
MOSFET N-CH 650V 12A TO263AA
Подробное описание:
N-Channel 650 V 12A (Tc) 180W (Tc) Surface Mount TO-263AA
Инвентаризация:
12821366
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IXTA12N65X2 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Littelfuse
Упаковка
Tube
Серия
Ultra X2
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
300mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1100 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
180W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-263AA
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), Variant
Базовый номер продукта
IXTA12
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IPB65R310CFDAATMA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
1407
Номер части
IPB65R310CFDAATMA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.29
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IXFQ72N30X3
MOSFET N-CH 300V 72A TO3P
IXFH60N65X2-4
MOSFET N-CH 650V 60A TO247-4L
IXFX44N60
MOSFET N-CH 600V 44A PLUS247
