Производитель Номер продукта:
IXTA3N110
Product Overview
Производитель:
IXYS
Номер детали:
IXTA3N110-DG
Описание:
MOSFET N-CH 1100V 3A TO263
Подробное описание:
N-Channel 1100 V 3A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount TO-263AA
Инвентаризация:
12909943
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IXTA3N110 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Littelfuse
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
1100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
3A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
4Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1350 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
150W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-263AA
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
IXTA3
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IXTA2R4N120P
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
IXYS
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
IXTA2R4N120P-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
3.25
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRFZ44STRLPBF
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
IXTP24N65X2M
MOSFET N-CH 650V 24A TO220
2N7002LT3
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
