Производитель Номер продукта:
IXTA3N120-TRL
Product Overview
Производитель:
IXYS
Номер детали:
IXTA3N120-TRL-DG
Описание:
MOSFET N-CH 1200V 3A TO263
Подробное описание:
N-Channel 1200 V 3A (Tc) 200W (Tc) Surface Mount TO-263AA
Инвентаризация:
12820297
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IXTA3N120-TRL Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Littelfuse
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
1200 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
3A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
4.5Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1350 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
200W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-263AA
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
IXTA3
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
800
Другие названия
IXTA3N120-TRLTR
IXTA3N120TRL
IXTA3N120CT
IXTA3N120TR-DG
IXTA3N120 TRL
IXTA3N120DKR
IXTA3N120DKR-DG
IXTA3N120CT-DG
IXTA3N120-TRLCT
IXTA3N120TR
IXTA3N120-TRLDKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IXFN24N100
MOSFET N-CH 1KV 24A SOT-227B
IXFK38N80Q2
MOSFET N-CH 800V 38A TO264AA
IXTA5N60P
MOSFET N-CH 600V 5A TO263
