Производитель Номер продукта:
IXTA4N65X2
Product Overview
Производитель:
IXYS
Номер детали:
IXTA4N65X2-DG
Описание:
MOSFET N-CH 650V 4A TO263
Подробное описание:
N-Channel 650 V 4A (Tc) 80W (Tc) Surface Mount TO-263
Инвентаризация:
35 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12907603
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IXTA4N65X2 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Littelfuse
Упаковка
Tube
Серия
Ultra X2
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
850mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
8.3 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
455 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
80W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-263
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
IXTA4
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
R6007KNJTL
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Rohm Semiconductor
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
17
Номер части
R6007KNJTL-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.74
Тип замещения
Similar
Номер детали
R6007ENJTL
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Rohm Semiconductor
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
2
Номер части
R6007ENJTL-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.74
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRF9620
MOSFET P-CH 200V 3.5A TO220AB
IXFB120N50P2
MOSFET N-CH 500V 120A PLUS264
IRFBC30STRLPBF
MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
