Производитель Номер продукта:
IXTH60N20X4
Product Overview
Производитель:
IXYS
Номер детали:
IXTH60N20X4-DG
Описание:
MOSFET ULTRA X4 200V 60A TO-247
Подробное описание:
N-Channel 200 V 60A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-247 (IXFH)
Инвентаризация:
144 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12997403
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IXTH60N20X4 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Littelfuse
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
200 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
21mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2450 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
250W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-247 (IXFH)
Упаковка / Чехол
TO-247-3
Базовый номер продукта
IXTH60
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
30
Другие названия
238-IXTH60N20X4
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SIDR402EP-T1-RE3
N-CHANNEL 40 V (D-S) 175C MOSFET
SIHK055N60E-T1-GE3
E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 1
FBG04N30BC
GAN FET HEMT 40V30A COTS 4FSMD-B
