Производитель Номер продукта:
IXTP1N100
Product Overview
Производитель:
IXYS
Номер детали:
IXTP1N100-DG
Описание:
MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO220AB
Подробное описание:
N-Channel 1000 V 1.5A (Tc) 54W (Tc) Through Hole TO-220-3
Инвентаризация:
12822240
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IXTP1N100 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Littelfuse
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Not For New Designs
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
1000 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
1.5A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
11Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 25µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
14.5 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
400 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
54W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220-3
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
IXTP1
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IXFP4N100P
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
IXYS
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
IXFP4N100P-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
2.40
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IXFK32N100P
MOSFET N-CH 1000V 32A TO264AA
IXTA1R4N100P
MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO263
IXFK90N20Q
MOSFET N-CH 200V 90A TO264AA
