MCG55P02A-TP
Производитель Номер продукта:

MCG55P02A-TP

Product Overview

Производитель:

Micro Commercial Co

Номер детали:

MCG55P02A-TP-DG

Описание:

P-CHANNEL MOSFET, DFN3333
Подробное описание:
P-Channel 20 V 55A 3.2W (Ta), 38W (Tc) Surface Mount DFN3333

Инвентаризация:

13800 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12996796
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

MCG55P02A-TP Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Micro Commercial Components (MCC)
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
55A
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
1.8V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
8.3mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
149 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
6358 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.2W (Ta), 38W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
DFN3333
Упаковка / Чехол
8-VDFN Exposed Pad
Базовый номер продукта
MCG55P02

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
5,000
Другие названия
353-MCG55P02A-TPCT
353-MCG55P02A-TPTR
353-MCG55P02A-TPDKR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
harris-corporation

HP4936DY

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5

fairchild-semiconductor

IRFR420T

2.5A, 500V, 3OHM, N-CHANNEL MOSF

goford-semiconductor

GT065P06T

P-60V,-82A,RD(MAX)<7.5M@-10V,VTH

nxp-semiconductors

PSMN6R0-25YLD115

NEXPERIA PSMN6R0-25YLD - POWER F