Производитель Номер продукта:
APT56F50B2
Product Overview
Производитель:
Microchip Technology
Номер детали:
APT56F50B2-DG
Описание:
MOSFET N-CH 500V 56A T-MAX
Подробное описание:
N-Channel 500 V 56A (Tc) 780W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
Инвентаризация:
19 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13258945
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
APT56F50B2 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Microchip Technology
Упаковка
Tube
Серия
POWER MOS 8™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
500 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
56A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
100mOhm @ 28A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 2.5mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
220 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
8800 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
780W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
T-MAX™ [B2]
Упаковка / Чехол
TO-247-3 Variant
Базовый номер продукта
APT56F50
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
30
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
MSC040SMA120S
SICFET N-CH 1200V 64A TO268
G500P03IE
MOSFET P-CH ESD 30V 4.6A SOT-23
G090P02S
MOSFET P-CH 20V 11A SOP-8
