MSC040SMA120S
Производитель Номер продукта:

MSC040SMA120S

Product Overview

Производитель:

Microchip Technology

Номер детали:

MSC040SMA120S-DG

Описание:

SICFET N-CH 1200V 64A TO268
Подробное описание:
N-Channel 1200 V 64A (Tc) 303W Surface Mount D3PAK

Инвентаризация:

42 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13258955
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

MSC040SMA120S Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Microchip Technology
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
SiCFET (Silicon Carbide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
1200 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
64A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
20V
Rds On (макс.) @ id, vgs
50mOhm @ 40A, 20V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.6V @ 2mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
137 nC @ 20 V
Vgs (макс.)
+23V, -10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1990 pF @ 1000 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
303W
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
D3Pak
Упаковка / Чехол
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Базовый номер продукта
MSC040

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
30

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
goford-semiconductor

G500P03IE

MOSFET P-CH ESD 30V 4.6A SOT-23

goford-semiconductor

G090P02S

MOSFET P-CH 20V 11A SOP-8

goford-semiconductor

GT016N10Q

MOSFET N-CH 100V 228A TO-247

transphorm

TP65H035G4QS

650 V 46.5 A GAN FET HIGH VOLTAG