LND250K1-G
Производитель Номер продукта:

LND250K1-G

Product Overview

Производитель:

Microchip Technology

Номер детали:

LND250K1-G-DG

Описание:

MOSFET N-CH 500V 13MA SOT23
Подробное описание:
N-Channel 500 V 13mA (Tj) 360mW (Ta) Surface Mount SOT-23 (TO-236AB)

Инвентаризация:

15643 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13033833
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

LND250K1-G Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Microchip Technology
Упаковка
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Серия
-
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Состояние детали
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
500 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
13mA (Tj)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
0V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1000Ohm @ 500µA, 0V
Vgs(th) (Макс) @ Id
-
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
10 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
Depletion Mode
Рассеиваемая мощность (макс.)
360mW (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Степень
-
Квалификация
-
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
SOT-23 (TO-236AB)
Упаковка / Чехол
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Базовый номер продукта
LND250

Технический паспорт и документы

Дизайн/спецификация PCN
Технические характеристики
Сборка/происхождение PCN
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
3,000
Другие названия
LND250K1-GTR
LND250K1-GCT
LND250K1-G-ND
LND250K1-GDKR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
texas-instruments

CSD18510Q5B

MOSFET N-CH 40V 300A 8VSON

texas-instruments

CSD17559Q5

MOSFET N-CH 30V 40A/100A 8VSON

microchip-technology

2N6660

MOSFET N-CH 60V 410MA TO39

texas-instruments

CSD23202W10

MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA