MSC080SMA330B4
Производитель Номер продукта:

MSC080SMA330B4

Product Overview

Производитель:

Microchip Technology

Номер детали:

MSC080SMA330B4-DG

Описание:

MOSFET SIC 3300 V 80 MOHM TO-247
Подробное описание:
N-Channel 3300 V 41A (Tc) 381W (Tc) Through Hole TO-247-4

Инвентаризация:

12975992
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

MSC080SMA330B4 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Microchip Technology
Упаковка
Bulk
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
SiCFET (Silicon Carbide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
3300 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
41A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
20V
Rds On (макс.) @ id, vgs
105mOhm @ 30A, 20V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.97V @ 3mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
55 nC @ 20 V
Vgs (макс.)
+23V, -10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3462 pF @ 2400 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
381W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-247-4
Упаковка / Чехол
TO-247-4
Базовый номер продукта
MSC080

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
30
Другие названия
150-MSC080SMA330B4

Классификация окружающей среды и экспорта

Уровень чувствительности к влаге (MSL)
Not Applicable
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
nexperia

PMPB17EPX

P-CHANNEL TRENCH MOSFET

nexperia

PXP015-30QLJ

P-CHANNEL TRENCH MOSFET

onsemi

FDY100PZ-G

MOSFET P-CH SC89

onsemi

FCB099N65S3

MOSFET N-CH 650V 30A D2PAK-3