Производитель Номер продукта:
FDY100PZ-G
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
FDY100PZ-G-DG
Описание:
MOSFET P-CH SC89
Подробное описание:
P-Channel 20 V 350mA (Ta) 446mW (Ta) Surface Mount SOT-523F
Инвентаризация:
12976025
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FDY100PZ-G Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
-
Серия
PowerTrench®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
350mA (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
1.8V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.2Ohm @ 350mA, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
1.4 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±8V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
100 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
446mW (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
SOT-523F
Упаковка / Чехол
SC-89, SOT-490
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
488-FDY100PZ-GTR
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
FCB099N65S3
MOSFET N-CH 650V 30A D2PAK-3
NTBS9D0N10MC
MOSFET N-CH 100V 14A/60A TO263
TK090Z65Z,S1F
MOSFET N-CH 650V 30A TO247-4L
