Производитель Номер продукта:
NTBS9D0N10MC
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
NTBS9D0N10MC-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 14A/60A TO263
Подробное описание:
N-Channel 100 V 14A (Ta), 60A (Tc) 3.8W (Ta), 68W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Инвентаризация:
1370 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12976029
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
NTBS9D0N10MC Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
14A (Ta), 60A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
9mOhm @ 23A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 131µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1695 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.8W (Ta), 68W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-263 (D2PAK)
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
NTBS9
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
800
Другие названия
488-NTBS9D0N10MCTR
2832-NTBS9D0N10MC
488-NTBS9D0N10MCDKR
488-NTBS9D0N10MCCT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
TK090Z65Z,S1F
MOSFET N-CH 650V 30A TO247-4L
SIDR510EP-T1-RE3
N-CHANNEL 100 V (D-S) 175C MOSFE
SIDR570EP-T1-RE3
N-CHANNEL 150 V (D-S) 175C MOSFE
