Производитель Номер продукта:
MSCSM120HRM052NG
Product Overview
Производитель:
Microchip Technology
Номер детали:
MSCSM120HRM052NG-DG
Описание:
SIC 4N-CH 1200V/700V 472A
Подробное описание:
Mosfet Array 1200V (1.2kV), 700V 472A (Tc), 442A (Tc) 1.846kW (Tc), 1.161kW (Tc) Chassis Mount
Инвентаризация:
12961536
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
MSCSM120HRM052NG Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
Microchip Technology
Упаковка
Bulk
Серия
-
Статус продукта
Active
Технологии
Silicon Carbide (SiC)
Конфигурация
4 N-Channel (Three Level Inverter)
Функция полевых транзисторов
Silicon Carbide (SiC)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
1200V (1.2kV), 700V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
472A (Tc), 442A (Tc)
Rds On (макс.) @ id, vgs
5.2mOhm @ 240A, 20V, 4.8mOhm @ 160A, 20V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.8V @ 18mA, 2.4V @ 16mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
1392nC @ 20V, 860nC @ 20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
18100pF @ 1000V, 18000pF @ 700V
Мощность - Макс
1.846kW (Tc), 1.161kW (Tc)
Рабочая температура
-40°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Chassis Mount
Упаковка / Чехол
Module
Комплект устройства поставщика
-
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1
Другие названия
150-MSCSM120HRM052NG
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SI1025X-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SC89
SI4511DY-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 20V 7.2A 8-SOIC
SI1917EDH-T1-E3
MOSFET 2P-CH 12V 1A SC70-6