Производитель Номер продукта:
MSCSM170HRM075NG
Product Overview
Производитель:
Microchip Technology
Номер детали:
MSCSM170HRM075NG-DG
Описание:
SIC 4N-CH 1700V/1200V 337A
Подробное описание:
Mosfet Array 1700V (1.7kV), 1200V (1.2kV) 337A (Tc), 317A (Tc) 1.492kW (Tc) Chassis Mount
Инвентаризация:
12962333
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
MSCSM170HRM075NG Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
Microchip Technology
Упаковка
Bulk
Серия
-
Статус продукта
Active
Технологии
Silicon Carbide (SiC)
Конфигурация
4 N-Channel (Three Level Inverter)
Функция полевых транзисторов
Silicon Carbide (SiC)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
1700V (1.7kV), 1200V (1.2kV)
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
337A (Tc), 317A (Tc)
Rds On (макс.) @ id, vgs
7.5mOhm @ 180A, 20V, 7.8mOhm @ 160A, 20V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.2V @ 15mA, 2.8V @ 12mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
1068nC @ 20V, 928nC @ 20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
19800pF @ 1000V, 12100pF @ 1000V
Мощность - Макс
1.492kW (Tc)
Рабочая температура
-40°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Chassis Mount
Упаковка / Чехол
Module
Комплект устройства поставщика
-
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1
Другие названия
150-MSCSM170HRM075NG
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SI7540DP-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 12V 7.6A PPAK SO8
SIA910EDJ-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC70-6
FS03MR12A6MA1LB
SIC 6N-CH 1200V AG-HYBRIDD
