Производитель Номер продукта:
TN5335K1-G
Product Overview
Производитель:
Microchip Technology
Номер детали:
TN5335K1-G-DG
Описание:
MOSFET N-CH 350V 110MA SOT23
Подробное описание:
N-Channel 350 V 110mA (Tj) 360mW (Ta) Surface Mount SOT-23 (TO-236AB)
Инвентаризация:
4112 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12810184
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
TN5335K1-G Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Microchip Technology
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
350 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
110mA (Tj)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
3V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
15Ohm @ 200mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 1mA
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
110 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
360mW (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
SOT-23 (TO-236AB)
Упаковка / Чехол
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Базовый номер продукта
TN5335
Технический паспорт и документы
Дизайн/спецификация PCN
Технические характеристики
Сборка/происхождение PCN
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
TN5335K1-GTR
TN5335K1-GCT
TN5335K1-GDKR
TN5335K1-G-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPD70R600P7SAUMA1
MOSFET N-CH 700V 8.5A TO252-3
IRF100P219XKMA1
MOSFET N-CH 100V TO247AC
TN0106N3-G-P013
MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3