Производитель Номер продукта:
TP0620N3-G
Product Overview
Производитель:
Microchip Technology
Номер детали:
TP0620N3-G-DG
Описание:
MOSFET P-CH 200V 175MA TO92-3
Подробное описание:
P-Channel 200 V 175mA (Tj) 1W (Ta) Through Hole TO-92-3
Инвентаризация:
1013 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12807894
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
TP0620N3-G Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Microchip Technology
Упаковка
Bag
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
200 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
175mA (Tj)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
12Ohm @ 200mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.4V @ 1mA
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
150 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-92-3
Упаковка / Чехол
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Базовый номер продукта
TP0620
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SPP04N50C3XKSA1
LOW POWER_LEGACY
VN10KN3-G-P003
MOSFET N-CH 60V 310MA TO92-3
SPW20N60C3E8177FKSA1
MOSFET N-CH
