VN0106N3-G
Производитель Номер продукта:

VN0106N3-G

Product Overview

Производитель:

Microchip Technology

Номер детали:

VN0106N3-G-DG

Описание:

MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3
Подробное описание:
N-Channel 60 V 350mA (Tj) 1W (Tc) Through Hole TO-92-3

Инвентаризация:

1836 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12864799
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

VN0106N3-G Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Microchip Technology
Упаковка
Bag
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
350mA (Tj)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
3Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.4V @ 1mA
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
65 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-92-3
Упаковка / Чехол
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Базовый номер продукта
VN0106

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
1,000

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
panasonic

FJ4B01100L1

MOSFET P-CH 12V 2.2A XLGA004

vishay-siliconix

IRF840ASTRRPBF

MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK

panasonic

FK3906010L

MOSFET N-CH 60V 100MA SSMINI3

infineon-technologies

IRL2203NPBF

MOSFET N-CH 30V 116A TO220AB