Производитель Номер продукта:
APT11N80KC3G
Product Overview
Производитель:
Microsemi Corporation
Номер детали:
APT11N80KC3G-DG
Описание:
MOSFET N-CH 800V 11A TO220
Подробное описание:
N-Channel 800 V 11A (Tc) 156W (Tc) Through Hole TO-220 [K]
Инвентаризация:
13261983
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
APT11N80KC3G Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Microsemi
Упаковка
-
Серия
CoolMOS™
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
800 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
450mOhm @ 7.1A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.9V @ 680µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1585 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
156W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220 [K]
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
APT11N80KC3GMI-ND
APT11N80KC3GMI
APT11N80KC3G-ND
150-APT11N80KC3G
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
APT24M120L
MOSFET N-CH 1200V 24A TO264
APTM20SKM04G
MOSFET N-CH 200V 372A SP6
2N6798
MOSFET N-CH 200V 5.5A TO39
