Производитель Номер продукта:
APT80SM120B
Product Overview
Производитель:
Microsemi Corporation
Номер детали:
APT80SM120B-DG
Описание:
SICFET N-CH 1200V 80A TO247
Подробное описание:
N-Channel 1200 V 80A (Tc) 555W (Tc) Through Hole TO-247
Инвентаризация:
13261717
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
APT80SM120B Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Microsemi
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
SiCFET (Silicon Carbide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
1200 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
20V
Rds On (макс.) @ id, vgs
55mOhm @ 40A, 20V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
235 nC @ 20 V
Vgs (макс.)
+25V, -10V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
555W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-247
Упаковка / Чехол
TO-247-3
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1
Другие названия
APT80SM120B-ND
150-APT80SM120B
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
APT22F80S
MOSFET N-CH 800V 23A D3PAK
APT48M80B2
MOSFET N-CH 800V 49A T-MAX
APT47N65SCS3G
MOSFET N-CH 650V 47A TO-247
