Производитель Номер продукта:
BUK7C08-55AITE,118
Product Overview
Производитель:
Nexperia USA Inc.
Номер детали:
BUK7C08-55AITE,118-DG
Описание:
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Подробное описание:
N-Channel 55 V 75A (Tc) 272W (Tc) Surface Mount D2PAK-7
Инвентаризация:
12830319
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
BUK7C08-55AITE,118 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Nexperia
Упаковка
-
Серия
TrenchMOS™
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
55 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
8mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
116 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
4200 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
Current Sensing
Рассеиваемая мощность (макс.)
272W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
D2PAK-7
Упаковка / Чехол
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
800
Другие названия
BUK7C08-55AITE /T3-DG
BUK7C08-55AITE /T3
934057948118
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IPB180N06S4H1ATMA2
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
6672
Номер части
IPB180N06S4H1ATMA2-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.78
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
BUK9212-55B,118
MOSFET N-CH 55V 75A DPAK
AUIRF7648M2TR
MOSFET N-CH 60V 14A DIRECTFET
PSMNR70-30YLHX
MOSFET N-CH 30V 300A LFPAK56