Производитель Номер продукта:
GAN063-650WSAQ
Product Overview
Производитель:
Nexperia USA Inc.
Номер детали:
GAN063-650WSAQ-DG
Описание:
GANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3
Подробное описание:
N-Channel 650 V 34.5A (Ta) 143W (Ta) Through Hole TO-247-3
Инвентаризация:
582 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12830466
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
GAN063-650WSAQ Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Nexperia
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
34.5A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
60mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1000 pF @ 400 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
143W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-247-3
Упаковка / Чехол
TO-247-3
Базовый номер продукта
GAN063
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
30
Другие названия
1727-8711-6INACTIVE
5202-GAN063-650WSAQTR
1727-8711-6-DG
1727-8711-1INACTIVE
1727-8711-2-DG
1727-8711-1-DG
1727-8711-1
1727-8711-2
2156-GAN063-650WSAQ
GAN063-650WSA
1727-8711-6
1727-GAN063-650WSAQ
934660022127
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
PSMN6R0-30YLB,115
MOSFET N-CH 30V 71A LFPAK56
BUK7277-55A,118
MOSFET N-CH 55V 18A DPAK
PMZ350UPEYL
MOSFET P-CH 20V 1A DFN1006-3
