Производитель Номер продукта:
PDTA114TMB,315
Product Overview
Производитель:
Nexperia USA Inc.
Номер детали:
PDTA114TMB,315-DG
Описание:
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
Подробное описание:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 180 MHz 250 mW Surface Mount DFN1006B-3
Инвентаризация:
12830393
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
PDTA114TMB,315 Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Однополярные, предварительно смещенные биполярные транзисторы
Производитель
Nexperia
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
PNP - Pre-Biased
Ток - коллектор (IC) (макс.)
100 mA
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
50 V
Резистор - база (R1)
10 kOhms
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
200 @ 1mA, 5V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
150mV @ 500µA, 10mA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
1µA
Частота - переход
180 MHz
Мощность - Макс
250 mW
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q100
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
3-XFDFN
Комплект устройства поставщика
DFN1006B-3
Базовый номер продукта
PDTA114
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
10,000
Другие названия
NEXNEXPDTA114TMB,315
934065921315
2156-PDTA114TMB,315-NEX
2156-PDTA114TMB,315
5202-PDTA114TMB,315TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0075
Альтернативные модели
Номер детали
RN2111ACT(TPL3)
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Toshiba Semiconductor and Storage
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
10000
Номер части
RN2111ACT(TPL3)-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.05
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
PDTD113ZUX
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323
PDTC143XM,315
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT883
PDTC143ZT,215
TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB