Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
ДР Конго
Аргентина
Турция
Румыния
Литва
Норвегия
Австрия
Ангола
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Беларусь
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Черногория
Русский
Бельгия
Швеция
Сербия
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Молдова
Германия
Нидерланды
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
Франция
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Португалия
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Испания
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
PEMD2,115
Product Overview
Производитель:
Nexperia USA Inc.
Номер детали:
PEMD2,115-DG
Описание:
TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT666
Подробное описание:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-666
Инвентаризация:
2902 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12832154
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
PEMD2,115 Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Массивах биполярных транзисторов, предварительно смещенных
Производитель
Nexperia
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Not For New Designs
Тип транзистора
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Ток - коллектор (IC) (макс.)
100mA
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
50V
Резистор - база (R1)
22kOhms
Резистор - база эмиттера (R2)
22kOhms
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
60 @ 5mA, 5V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
150mV @ 500µA, 10mA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
1µA
Частота - переход
-
Мощность - Макс
300mW
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
SOT-563, SOT-666
Комплект устройства поставщика
SOT-666
Базовый номер продукта
PEMD2
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
PEMD2,115
HTML Спецификация
PEMD2,115-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
4,000
Другие названия
934056860115
PEMD2 T/R
1727-7546-1
1727-7546-2
PEMD2,115-DG
PEMD2 T/R-DG
1727-7546-6
5202-PEMD2,115TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Альтернативные модели
Номер детали
EMH1T2R
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Rohm Semiconductor
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
EMH1T2R-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.08
Тип замещения
Similar
Номер детали
RN4983FE,LF(CT
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Toshiba Semiconductor and Storage
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
3850
Номер части
RN4983FE,LF(CT-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.02
Тип замещения
Similar
Номер детали
NSBC124EPDXV6T1G
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
onsemi
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
3566
Номер части
NSBC124EPDXV6T1G-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.05
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
PBLS2023D,115
TRANS PREBIAS 1PNP 1PNP 6TSOP
PUMD2/DG/B3,135
TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSSOP
PUMD13,135
TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSSOP
PUMB11,135
TRANS PREBIAS 2PNP 50V 6TSSOP