Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
ДР Конго
Аргентина
Турция
Румыния
Литва
Норвегия
Австрия
Ангола
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Беларусь
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Черногория
Русский
Бельгия
Швеция
Сербия
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Молдова
Германия
Нидерланды
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
Франция
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Португалия
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Испания
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
RN4983FE,LF(CT
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
RN4983FE,LF(CT-DG
Описание:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
Подробное описание:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
Инвентаризация:
3850 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12890111
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
RN4983FE,LF(CT Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Массивах биполярных транзисторов, предварительно смещенных
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Ток - коллектор (IC) (макс.)
100mA
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
50V
Резистор - база (R1)
22kOhms
Резистор - база эмиттера (R2)
22kOhms
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
70 @ 10mA, 5V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
100nA (ICBO)
Частота - переход
250MHz
Мощность - Макс
100mW
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
SOT-563, SOT-666
Комплект устройства поставщика
ES6
Базовый номер продукта
RN4983
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
RN4983FE
Дополнительная информация
Стандартный пакет
4,000
Другие названия
RN4983FELF(CBDKR-DG
RN4983FELF(CTDKR
RN4983FE(T5L,F,T)
RN4983FELF(CTCT
RN4983FE(T5LFT)DKR-DG
RN4983FE(T5LFT)TR
RN4983FELF(CBTR
RN4983FELF(CBDKR
RN4983FE(T5LFT)CT
RN4983FE,LF(CB
RN4983FE(T5LFT)CT-DG
RN4983FELF(CBTR-DG
RN4983FELF(CTTR
RN4983FE(T5LFT)DKR
RN4983FELF(CBCT
RN4983FELF(CBCT-DG
RN4983FE(T5LFT)TR-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Альтернативные модели
Номер детали
NSBC124EDXV6T1G
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
onsemi
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
3573
Номер части
NSBC124EDXV6T1G-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.05
Тип замещения
Similar
Номер детали
PEMH1,115
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Nexperia USA Inc.
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
4000
Номер части
PEMH1,115-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.07
Тип замещения
Similar
Номер детали
PEMD2,115
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Nexperia USA Inc.
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
2902
Номер части
PEMD2,115-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.06
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DDA144EU-7-F
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W SOT363
RN1703,LF
NPNX2 BRT Q1BSR22KOHM Q1BER22KOH
DDC144NS-7
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363
RN1967FE(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6