PMZB600UNELYL
Производитель Номер продукта:

PMZB600UNELYL

Product Overview

Производитель:

Nexperia USA Inc.

Номер детали:

PMZB600UNELYL-DG

Описание:

MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006B-3
Подробное описание:
N-Channel 20 V 600mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount DFN1006B-3

Инвентаризация:

130887 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12920004
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

PMZB600UNELYL Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Nexperia
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
600mA (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
1.2V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
620mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
950mV @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
0.7 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±8V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
21.3 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
360mW (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
DFN1006B-3
Упаковка / Чехол
3-XFDFN
Базовый номер продукта
PMZB600

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
10,000
Другие названия
1727-7378-2
1727-7378-1
5202-PMZB600UNELYLTR
934070912315
PMZB600UNELYL-DG
1727-7378-6

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
vishay-siliconix

SISA24DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 25V 60A PPAK1212-8

vishay-siliconix

SI3805DV-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 3.3A 6TSOP

vishay-siliconix

SIR626DP-T1-RE3

MOSFET N-CH 60V 100A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SISH625DN-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 17.3A/35A PPAK