Производитель Номер продукта:
2PD2150,115
Product Overview
Производитель:
NXP Semiconductors
Номер детали:
2PD2150,115-DG
Описание:
NEXPERIA 2PD2150 - POWER BIPOLAR
Подробное описание:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 20 V 3 A 220MHz 2 W Surface Mount SOT-89
Инвентаризация:
8026 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12996634
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
2PD2150,115 Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Одиночные биполярные транзисторы
Производитель
NXP Semiconductors
Упаковка
Bulk
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
NPN
Ток - коллектор (IC) (макс.)
3 A
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
20 V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
500mV @ 100mA, 2A
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
100nA (ICBO)
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
180 @ 100mA, 2V
Мощность - Макс
2 W
Частота - переход
220MHz
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
TO-243AA
Комплект устройства поставщика
SOT-89
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,652
Другие названия
2156-2PD2150,115-954
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0075
Сертификация DIGI
Связанные продукты
PBSS5230QAZ
NEXPERIA PBSS5230QA - 30 V, 2 A
2SD1830
POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 8A, 10
PBSS5612PA,115
NEXPERIA PBSS5612PA - SMALL SIGN