Производитель Номер продукта:
BUK6E2R0-30C127
Product Overview
Производитель:
NXP USA Inc.
Номер детали:
BUK6E2R0-30C127-DG
Описание:
N-CHANNEL POWER MOSFET
Подробное описание:
N-Channel 30 V 120A (Tc) 306W (Tc) Through Hole I2PAK
Инвентаризация:
12931772
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
BUK6E2R0-30C127 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
NXP Semiconductors
Упаковка
-
Серия
TrenchMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2.2mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.8V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
229 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±16V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
14964 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
306W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
I2PAK
Упаковка / Чехол
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
329
Другие названия
NEXNXPBUK6E2R0-30C127
2156-BUK6E2R0-30C127
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
Not applicable
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRF642
N-CHANNEL POWER MOSFET
HUF75307D3ST_NL
N-CHANNEL POWER MOSFET
IRFW730BTM
N-CHANNEL POWER MOSFET