Производитель Номер продукта:
BUK7E2R3-40E,127
Product Overview
Производитель:
NXP Semiconductors
Номер детали:
BUK7E2R3-40E,127-DG
Описание:
NEXPERIA BUK7E2R3-40E - 120A, 40
Подробное описание:
N-Channel 40 V 120A (Tc) 293W (Tc) Through Hole I2PAK
Инвентаризация:
3778 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12973740
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
BUK7E2R3-40E,127 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
NXP Semiconductors
Упаковка
Bulk
Серия
TrenchMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2.3mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
109.2 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
8500 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
293W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
I2PAK
Упаковка / Чехол
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
325
Другие названия
2156-BUK7E2R3-40E,127-954
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
Vendor Undefined
Статус REACH
REACH Unaffected
Сертификация DIGI
Связанные продукты
PJQ5463A-AU_R2_000A1
60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJL9412_R2_00001
30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
IAUA180N08S5N026AUMA1
MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5
