Производитель Номер продукта:
PEMB18,115
Product Overview
Производитель:
NXP Semiconductors
Номер детали:
PEMB18,115-DG
Описание:
NEXPERIA PEMB18 - SMALL SIGNAL B
Подробное описание:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-666
Инвентаризация:
12000 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12968061
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
PEMB18,115 Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Массивах биполярных транзисторов, предварительно смещенных
Производитель
NXP Semiconductors
Упаковка
Bulk
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Ток - коллектор (IC) (макс.)
100mA
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
50V
Резистор - база (R1)
4.7kOhms
Резистор - база эмиттера (R2)
10kOhms
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
50 @ 10mA, 5V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
150mV @ 500µA, 10mA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
1µA
Частота - переход
-
Мощность - Макс
300mW
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
SOT-563, SOT-666
Комплект устройства поставщика
SOT-666
Дополнительная информация
Стандартный пакет
6,772
Другие названия
2156-PEMB18,115-954
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
Сертификация DIGI
Связанные продукты
RN1909,LXHF(CT
AUTO AEC-Q TR NPNX2 BRT, Q1BSR=4
NSBC143TPDXV6T5
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
MUN5338DW1T3G
SS SC88 DUAL BRT TRPDBN
