Производитель Номер продукта:
PHB21N06LT,118
Product Overview
Производитель:
NXP USA Inc.
Номер детали:
PHB21N06LT,118-DG
Описание:
NOW NEXPERIA PHB21N06LT - 19A, 5
Подробное описание:
N-Channel 55 V 19A (Tc) 56W (Tc) Surface Mount D2PAK
Инвентаризация:
978 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12947330
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
PHB21N06LT,118 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
NXP Semiconductors
Упаковка
Bulk
Серия
TrenchMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
55 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
70mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
9.4 nC @ 5 V
Vgs (макс.)
±15V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
650 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
56W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
D2PAK
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
739
Другие названия
2156-PHB21N06LT,118
NEXNXPPHB21N06LT,118
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0075
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRF6662TRPBF
IRF6662 - 12V-300V N-CHANNEL POW
PH1030DLSX
POWER MOS
FDPF8N50NZU
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
