Производитель Номер продукта:
PSMN2R6-60PSQ
Product Overview
Производитель:
NXP USA Inc.
Номер детали:
PSMN2R6-60PSQ-DG
Описание:
NOW NEXPERIA PSMN2R6-60PSQ - 150
Подробное описание:
N-Channel 60 V 150A (Tc) 326W (Tc) Through Hole TO-220AB
Инвентаризация:
304 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12947148
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
PSMN2R6-60PSQ Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
NXP Semiconductors
Упаковка
Bulk
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
150A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2.6mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
140 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
7629 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
326W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220AB
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
190
Другие названия
2156-PSMN2R6-60PSQ
NEXNXPPSMN2R6-60PSQ
Классификация окружающей среды и экспорта
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
FCU2250N80Z
MOSFET N-CH 800V 2.6A I-PAK
FDB8896
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
FQPF19N10
MOSFET N-CH 100V 13.6A TO220F
