PSMN6R3-120PS
Производитель Номер продукта:

PSMN6R3-120PS

Product Overview

Производитель:

NXP Semiconductors

Номер детали:

PSMN6R3-120PS-DG

Описание:

PSMN6R3-120PS - N-CHANNEL 120V S
Подробное описание:
N-Channel 120 V 70A (Ta) 405W (Ta) Through Hole TO-220AB

Инвентаризация:

319 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12986865
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

PSMN6R3-120PS Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
NXP Semiconductors
Упаковка
Bulk
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
120 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
70A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
6.7mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
207.1 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
11384 pF @ 60 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
405W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220AB
Упаковка / Чехол
TO-220-3

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
141
Другие названия
2156-PSMN6R3-120PS

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
RoHS non-compliant
Статус REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0075
Сертификация DIGI
Связанные продукты
micro-commercial-components

MCACL175N06Y-TP

N-CHANNEL MOSFET, DFN5060

goford-semiconductor

G10N10A

N100V,RD(MAX)130MOHM@10V,TO-252

vishay-siliconix

SQD15N06-42L_T4GE3

N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

goford-semiconductor

G15N06K

N-CH, 60V,15A,RD(MAX)<45M@10V,RD