2N7002ET7G
Производитель Номер продукта:

2N7002ET7G

Product Overview

Производитель:

onsemi

Номер детали:

2N7002ET7G-DG

Описание:

MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
Подробное описание:
N-Channel 60 V 260mA (Ta) 300mW (Tj) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

Инвентаризация:

27330 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12921679
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

2N7002ET7G Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
260mA (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2.5Ohm @ 240mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
0.81 nC @ 5 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
40 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
300mW (Tj)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
SOT-23-3 (TO-236)
Упаковка / Чехол
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Базовый номер продукта
2N7002

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
3,500
Другие названия
488-2N7002ET7GCT
2N7002ET7G-DG
488-2N7002ET7GTR
488-2N7002ET7GDKR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
onsemi

2SK4087LS

MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220FI

diodes

ZXMN2AM832TA

MOSFET 2N-CH 20V 2.9A 8MLP

vishay-siliconix

SIHH125N60EF-T1GE3

MOSFET N-CH 600V 23A PPAK 8 X 8

micro-commercial-components

MSJP11N65-BP

MOSFET N-CH 650V 11A TO220AB