Производитель Номер продукта:
SIHH125N60EF-T1GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIHH125N60EF-T1GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 23A PPAK 8 X 8
Подробное описание:
N-Channel 600 V 23A (Tc) 156W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
Инвентаризация:
3000 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12921698
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIHH125N60EF-T1GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
EF
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
23A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
125mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
47 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1533 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
156W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® 8 x 8
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN
Базовый номер продукта
SIHH125
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SIHH125N60EF-T1GE3DKR
SIHH125N60EF-T1GE3DKR-DG
SIHH125N60EF-T1GE3TR-DG
SIHH125N60EF-T1GE3CT-DG
742-SIHH125N60EF-T1GE3DKR
SIHH125N60EF-T1GE3TR
742-SIHH125N60EF-T1GE3CT
742-SIHH125N60EF-T1GE3TR
SIHH125N60EF-T1GE3CT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
MSJP11N65-BP
MOSFET N-CH 650V 11A TO220AB
DMT12H007LPS-13
MOSFET N-CH 120V 90A PWRDI5060-8
DMN22M5UFG-7
MOSFET N-CH 20V 27A POWERDI3333
