Производитель Номер продукта:
2SD734F
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
2SD734F-DG
Описание:
NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRA
Подробное описание:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 20 V 700 mA 250MHz 600 mW Through Hole 3-NP
Инвентаризация:
39500 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12976780
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
2SD734F Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Одиночные биполярные транзисторы
Производитель
onsemi
Упаковка
Bulk
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип транзистора
NPN
Ток - коллектор (IC) (макс.)
700 mA
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
20 V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
300mV @ 50mA, 500mA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
1µA (ICBO)
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
160 @ 50mA, 2V
Мощность - Макс
600 mW
Частота - переход
250MHz
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Упаковка / Чехол
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Комплект устройства поставщика
3-NP
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,219
Другие названия
2156-2SD734F
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
RoHS non-compliant
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0075
Сертификация DIGI
Связанные продукты
2SD734F-AA
NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRA
2SA812B-T1B-AT
2SA812B-T1B-AT - PNP SILICON EPI
SBC847BLT1G-M01
SBC847 - TRANS BJTS NPN 45V
